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英特尔QLC 3D NAND固态硬盘生产量突破1000万块

  引自techpowerup的消息。英特尔QLC 3D NAND固态硬盘的生产量目前已突破1000万块。这种产品于2018年底开始生产,这一里程碑的生产量已让四级单元存储器(QLC)逐渐成为了大容量固态硬盘的主流技术。

  英特尔SSD战略规划和产品营销总监Dave Lundell表示:“许多公司都在谈论QLC技术,但英特尔已经大规模制造了它。我们看到了对独立QLC固态硬盘(Intel固态硬盘660p)的性价比以及Intel Optane Technology+QLC解决方案(Intel Optane Memory H10)性能的强劲需求。”


  以下是一些与这一成就相关的事实:

  Intel QLC 3D NAND用于Intel固态硬盘660p、Intel固态硬盘665p和Intel Optane Memory H10。

  Intel的QLC驱动器每个单元有4位,并以64层和96层NAND配置存储数据。

  英特尔过去十年一直在开发这项技术。2016年,英特尔工程师将已经被证实的浮栅(FG)技术方向改为垂直方向,并将其集成在GAA架构当中。三级单元存储器(TLC)技术可以存储384 Gb/die。在2018年,3D QLC闪存成为现实,它具有64层,每个单元具有4位,能够存储1024 Gb/die。在2019年,英特尔升级到96层,这样在存储芯片面积不变的情况下,能够集成更多的存储单元。

  QLC现在是英特尔整体存储产品组合的一部分,该产品组合包括客户端和数据中心产品。

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